СИЛИЦИРОВАННЫЙ ГРАФИТ: ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ПЕРЕСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ. ЧАСТЬ 1. ОСНОВНЫЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ПРОТЕКАЮЩИЕ ПРИ СИЛИЦИРОВАНИИ
Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Показано, что, вследствие одновременного протекания нестационарных физико-химических процессов, а также их быстротечностью, применение математических моделей не позволяет полностью и однозначно описать процесс силицирования пористых углеродных материалов. В связи с этим, целесообразным является установление эмпирических закономерностей процесса силицирования с одновременной проверкой уже существующих теоретических зависимостей на отдельных стадиях процесса.

Ключевые слова:
силицированный графит, композит, конструкционный материал, графит, карбид кремния
Текст
Текст произведения (PDF): Читать Скачать
Список литературы

1. Тарабанов А. С., Костиков В. И. Силицированный графит. - М.: Металлургия, 1977. - 208 с.

2. Eustathopoulos N., Nicholas M. G., Drevet B. Wettability at high temperatures / Ed. by R. W. Cahn. Pergamon, Amsterdam, New-York, 1999. - 429 р.

3. Eustathopoulos N. Fundamental issues of reactive wetting by liquid metals // J. Mater. Sci. - 2010. - Vol. 45, № 16. - P. 4256-4264.

4. Sobczak N., Singh M., Asthana R. High-temperature wettability measurements in metal/ceramic systems - Some methodological issues // Curr. Opin. Solid. St. - M. - 2005. - № 9. - P. 241-253.

5. Сумм Б. Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания. - М.: Химия, 1976. - 232 с.

6. Елютин В. П., Костиков В. И., Маурах М. А. Кинетика растекания титана по графиту // Изв. ВУЗов. Черная металлургия. - М. - 1964. - № 11. - С. 5-10.

7. Селезнев А. Н. Углеродистое сырье для электродной промышленности. - М.: Профиздат, 2000. - 256 с.

8. Dezellus O. Contribution a L’etude Des Mecanismes De Mouillage Reactif: PhD dissertation, Institut National Polytechnique De Grenoble. - France. - 2000. - 273 p.

9. Margiotta J. C., Zhang D., Nagle D. C. [et al.]. Formation of dense silicon carbide by liquid silicon infiltration of carbon with engineered structure // J. Mater. Res. - 2008. - Vol. 23, № 5. - P. 1237-1248.

10. Дерягин Б. В. Определение удельной поверхности пористых тел по скорости капиллярной пропитки // Коллоидный журнал. - 1946. - Том VIII, № 1-2. - С. 27-30.

11. Einset E. Capillary infiltration rates into porous media with application to Silcomp processing // J. Am. Ceram. Soc. - 1996. - № 79. - Р. 333-338.

12. Kumar S., Kumar A., Devi R. [et al.]. Capillary infiltration of liquids into 3D-stitched C-C preforms. Part B: kinetics of silicon infiltration // J Eur. Ceram. Soc. - 2009, № 29.- P. 2651-2657.

13. Gern F. H., Kochendörfer R. Liquid silicon infiltration: description of infiltration dynamics and silicon carbide formation // Composites Part A. - 1997. - № 28. - P. 355-364.

14. Gifja A., Tangstad M., Abel Engh T. Wettability of silicon with Refractory Materials // Report of Norw. Univ. of Sci. and Tech. - 2008. - 37 p.

15. Calderon N. R., Voytovych R., Narciso J. [et al.]. Pressureless infiltration versus wetting in AlSi/graphite system // J. Mater. Sci. - 2010. - № 45. - P. 4345-4350.

Войти или Создать
* Забыли пароль?